A.輸入電阻小,輸出電阻大
B.輸入電阻小,輸出電阻小
C.輸入電阻大,輸出電阻小
D.輸入電阻大,輸出電阻大
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A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.飽和區(qū)
D.擊穿區(qū)
A.基極、集電極、發(fā)射極
B.發(fā)射極、基極、集電極
C.集電極、發(fā)射極、基極
D.集電極、基極、發(fā)射極
A.60
B.75
C.80
D.100
A.發(fā)射極、基極、集電極
B.集電極、基極、發(fā)射極
C.集電極、發(fā)射極、基極
D.基極、集電極、發(fā)射極
PNP型晶體管工作在放大狀態(tài),三個極電位的關(guān)系是()。
A.A
B.B
C.C
D.D
最新試題
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合,則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時,柵極直流電壓將會(),漏極直流電流將會(),輸入電阻將會()。
?MOSFET源極漏極間的長度L越大,溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級原型的符號有()。
MOSFET做放大器,要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???
?CS、CG和CD三種組態(tài)中,最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
?數(shù)字頻率計設(shè)計中的測頻計數(shù)模塊共有多少個狀態(tài)?()
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核?()
?若某放大器的輸入信號為電壓信號,輸出信號為電流信號,則以下描述正確的有()。?
已知某N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
用作電壓放大器時,CS放大器不合適的參數(shù)為()。?