單項(xiàng)選擇題?BJT的三個(gè)區(qū)，（）的摻雜濃度最低。

A.集電區(qū)
B.發(fā)射區(qū)
C.基區(qū)
D.三者一樣


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1.多項(xiàng)選擇題關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)管小信號(hào)模型，下面說法正確的有（）。

A.場(chǎng)效應(yīng)管小信號(hào)模型參數(shù)gm可以通過輸出特性曲線求解
B.場(chǎng)效應(yīng)管小信號(hào)模型參數(shù)gm可以通過轉(zhuǎn)移特性曲線求解
C.場(chǎng)效應(yīng)管小信號(hào)模型參數(shù)gm由靜態(tài)工作點(diǎn)決定
D.場(chǎng)效應(yīng)管小信號(hào)模型中g(shù)mvgs是受控電壓源

2.多項(xiàng)選擇題關(guān)于圖解分析法，下面說法正確的有（）。

A.圖解分析法，不能用于大信號(hào)工作情況
B.圖解分析法，不能用于求某時(shí)刻的電壓、電流總值
C.圖解分析法，能用小大信號(hào)工作情況
D.圖解分析法，可以用于求靜態(tài)工作點(diǎn)

3.多項(xiàng)選擇題關(guān)于估算法與小信號(hào)等效電路法，下面說法正確的有（）。

A.估算法，可以用于求靜態(tài)工作點(diǎn)
B.估算法，不能用于大信號(hào)工作情況
C.小信號(hào)等效電路法，不能用于大信號(hào)工作情況
D.小信號(hào)等效電路法，不能用于求某時(shí)刻的電壓、電流總值

4.多項(xiàng)選擇題

如圖所示，下列說法正確的是（）。

A.這是耗盡型MOSFET的輸出特性曲線，其中A區(qū)為飽和區(qū)，B區(qū)為線性工作區(qū)
B.這是增強(qiáng)型MOSFET的輸出特性曲線，其中C區(qū)為擊穿區(qū)，D區(qū)為截止區(qū)
C.這是增強(qiáng)型MOSFET的輸出特性曲線，其中A區(qū)為可變電阻區(qū)，B區(qū)為飽和區(qū)
D.這是耗盡型MOSFET的輸出特性曲線，其中C區(qū)為截止區(qū)，D區(qū)為擊穿區(qū)

5.多項(xiàng)選擇題關(guān)于圖解分析法，下面說法正確的是（）。

A.對(duì)于增強(qiáng)型MOS管，在恒流區(qū)滿足伏安特性方程，其中IDO是指vGS=2VT的iD
B.對(duì)于耗盡型MOS管，在恒流區(qū)滿足伏安特性方程，其中IDSS是指vGS=2VP的iD
C.圖解分析法是將直流通路分為非線性部分和線性部分，非線性部分的伏安特性曲線是轉(zhuǎn)移特性，線性部分的伏安特性曲線是直流負(fù)載線
D.為了求解放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，畫直流通路，然后可用估算法或者圖解分析法求解