A.二極管的小信號(hào)模型就是一個(gè)電阻
B.小信號(hào)模型中的微變等效電阻與靜態(tài)工作點(diǎn)有關(guān)
C.當(dāng)靜態(tài)電流越大時(shí),所對(duì)應(yīng)的微變等效電阻就越小
D.當(dāng)靜態(tài)電流越大時(shí),所對(duì)應(yīng)的微變等效電阻就越大
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電路如圖所示,電源VDD等于1V,電阻R等于10KΩ的時(shí),若用恒壓降模型(硅0.7V)來求解二極管兩端所對(duì)應(yīng)和電流()。
A.1mA
B.0.03mA
C.0.07mA
D.0mA
A.對(duì)于二極管的理想模型,正向通電時(shí),導(dǎo)通管壓降為零
B.對(duì)于二極管的理想模型,反向偏置時(shí),二極管相當(dāng)于一根導(dǎo)線
C.恒壓降模型就是在二極管的理想模型上加了一個(gè)電壓源
D.對(duì)于恒壓降模型,當(dāng)二極管導(dǎo)通后,認(rèn)為管壓降是0.7V
電路如圖所示,下列哪項(xiàng)不正確?()
A.二極管正向?qū)?,電流與電壓呈現(xiàn)指數(shù)關(guān)系
B.二極管是一種線性元件
C.若已知二極管的伏安特性曲線,根據(jù)作圖法,能求得二極管的Q點(diǎn)
D.對(duì)于電路有iD=(VDD-vD)/R
A.鍺二極管的門檻電壓,相對(duì)硅而言比較小
B.鍺二極管的反向飽和電流,相對(duì)硅而言更大一點(diǎn)
C.二極管兩端所加的正向電壓大于門檻電壓時(shí),電流呈現(xiàn)指數(shù)增加
D.二極管兩端施加反向電壓時(shí),會(huì)形成反向飽和電流,相當(dāng)于二極管導(dǎo)通
A.大的正向擴(kuò)散電流
B.PN結(jié)導(dǎo)通
C.低電阻
D.高電阻
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關(guān)于恒壓降模型,下列哪一個(gè)說法不正確?()
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