場效應管放大電路如圖所示，其中R_g1=300Wk，R_g2=120Wk，R_g3=10WM，R_s=R_d=10kΩ，C_S的容量足夠大，V_DD＝16V，設FET的飽和電流I_DSS=1mA，夾斷電壓U_p=U_GS（off）（off） = －2V，求靜態(tài)工作點，然后用中頻微變等效電路法求電路的電壓放大倍數(shù)。若C_S開路再求電壓放大倍數(shù)。

電路如圖所示，已知R_d=10kΩ，R_s=R=0.5kΩ，R_g1=165 kΩ，R_g2=35kΩ，U_GS（th=1V，I_DO =1mA，電路靜態(tài)工作點處U_GS=1.5V。試求共源極電路的小信號電壓增益A_u=u_o/u_i和源電壓增益A_us=u_o/u_s。

電路如圖所示，設MOS管的參數(shù)為U_GS（th）=1V，I_DO =500uA。電路參數(shù)為V_DD=5V，－V_SS=－5V，R_d=10kΩ，R=0.5kΩ，I_DQ=0.5mA。若流過R_g1、R_g2的電流是I_DQ的1/10，試確定R_g1和R_g2的值。

已知圖（a）所示電路中場效應管的轉(zhuǎn)移特性如圖（b）所示。求解電路的Q點和A_u。

兩個場效應管的轉(zhuǎn)移特性曲線分別如圖 （a）、（b）所示，分別確定這兩個場效應管的類型，并求其主要參數(shù)（開啟電壓或夾斷電壓，低頻跨導）。測試時電流iD的參考方向為從漏極D到源極S。