A.頻率為2MHz,晶片材料鋯鈦酸鉛陶瓷,晶片直徑25mm的直探頭
B.頻率為2.5MHz,晶片材料鈦酸鉛陶瓷,晶片直徑20mm的直探頭
C.頻率為2.5MHz,晶片材料鋯鈦酸鉛陶瓷,晶片直徑20mm的直探頭
D.頻率為2.5MHz,晶片材料鈦酸鉛陶瓷,晶片直徑20mm的雙晶直探頭
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A.雙晶直探頭
B.縱波直探頭
C.表面波探頭
D.雙晶斜探頭
A.壓電應(yīng)變常數(shù)
B.壓電電壓常數(shù)
C.介電常數(shù)
D.機(jī)械品質(zhì)因子
A.壓電應(yīng)變常數(shù)
B.壓電電壓常數(shù)
C.介電常數(shù)
D.機(jī)械品質(zhì)因子
A.避免在靠近強(qiáng)磁場(chǎng)、有強(qiáng)烈振動(dòng)的場(chǎng)合使用儀器
B.儀器工作時(shí)防止雨、雪、水、機(jī)油進(jìn)入儀器內(nèi)部
C.放電后的蓄電池應(yīng)及時(shí)充電
D.氣候潮濕地區(qū)或季節(jié),長(zhǎng)期不用應(yīng)定期開(kāi)機(jī),開(kāi)機(jī)時(shí)間約10min
A.掃描電路
B.接收電路
C.同步電路
D.發(fā)射電路
最新試題
關(guān)于液浸法的優(yōu)點(diǎn),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
調(diào)節(jié)時(shí)基線時(shí),應(yīng)使()同時(shí)對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的聲程位置。
測(cè)長(zhǎng)法是根據(jù)測(cè)長(zhǎng)缺陷回波高度變化與探頭移動(dòng)位置的相互關(guān)系來(lái)確定缺陷尺寸的。按規(guī)定的方法測(cè)得的缺陷長(zhǎng)度稱為缺陷的()。
移動(dòng)探頭找到缺陷最大回波,沿缺陷方向左右移動(dòng)探頭,缺陷回波高度降低一半時(shí),探頭中心軸線所對(duì)應(yīng)的位置即為指示長(zhǎng)度的端點(diǎn),兩端點(diǎn)之間的直線長(zhǎng)度即為缺陷指示長(zhǎng)度。這種測(cè)長(zhǎng)方法稱為()。
靈敏度采用試塊調(diào)節(jié)法,下面說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
()可以檢測(cè)出與探測(cè)面相垂直的面狀缺陷。
調(diào)整檢測(cè)靈敏度的目的在于檢測(cè)出工件中規(guī)定大小的缺陷,并對(duì)缺陷進(jìn)行()。
利用底波計(jì)算法校準(zhǔn)靈敏度時(shí),下面敘述中()是錯(cuò)誤的。
()和底波高度法一般用于缺陷尺寸小于聲束截面的缺陷定量。
當(dāng)縱波直探頭置于細(xì)長(zhǎng)工件上時(shí),在底波之后出現(xiàn)一系列的波,這種波是()。