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A.NMOS
B.CMOS
C.TTL
D.ECL
用四選一數(shù)據(jù)選擇器實(shí)現(xiàn)函數(shù)Y=AB+,應(yīng)使()
A.D0=D2=0,D1=D3=1
B.D0=D2=1,D1=D3=0
C.D0=D0=0,D2=D3=1
D.D0=D0=1,D2=D3=0
A.n
B.2*n
C.2n
D.2n+1
A.4
B.8
C.16
D.32
最新試題
已知函數(shù)F(A,B,C,D)=(AB’)’+(C’D+B’C)’,則其最簡表達(dá)式為()。
要使TTL與非門變成反相器,多余的輸入端不能采用的方法為()。
TTL門電路具有負(fù)載能力強(qiáng)、抗干擾能力強(qiáng)和轉(zhuǎn)換速度高等特點(diǎn)。
為實(shí)現(xiàn)將D觸發(fā)器轉(zhuǎn)換為T觸發(fā)器,下圖所示電路的虛框內(nèi)應(yīng)是()。
?利用開關(guān)代數(shù)的公理或定理,判斷與(x+y’)’等價(jià)的邏輯關(guān)系為()。
?兩個(gè)二進(jìn)制數(shù)的補(bǔ)碼相加,有溢出的是()。
?數(shù)字設(shè)計(jì)的層次主要有()。
如圖電路實(shí)現(xiàn)的邏輯函數(shù)是()。
若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X,最小反相器(1X)延遲時(shí)間為2,對于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)(圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力),該輸出單元的延遲時(shí)間(從a到y(tǒng))最接近于()。
如圖,此電路的輸入端I0_L是低電平有效,輸出A2A1A0是高電平有效,AVALID有效表示的是()。