單項選擇題用n個觸發(fā)器構(gòu)成的計數(shù)器，可得到的最大計數(shù)模為（）
A.n
B.2*n
C.2n
D.2n+1
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1.單項選擇題用2K×8的SRAM芯片，構(gòu)成4K×32的存儲器時，需要（）片。
A.4
B.8
C.16
D.32
2.單項選擇題
JK觸發(fā)器在CP脈沖作用下，欲使Qn+1=
，則輸入信號應(yīng)為（）
A.0=J=K
B.J=Q，K=
C.J=
，K=Q
D.J=Q，K=0
3.單項選擇題某RAM的地址線為11位， 數(shù)據(jù)線為8位，則存儲容量為（）KB。
A.16
B.8
C.4
D.2
4.單項選擇題32K×8位SRAM芯片，地址線和數(shù)據(jù)線分別為（）條。
A.32和8
B.16和8
C.15和8
D.14和8
5.單項選擇題十六路數(shù)據(jù)選擇器的地址輸入端有（）個。
A.16個
B.2個
C.4個
D.8個
最新試題
如圖電路實現(xiàn)的邏輯函數(shù)是（）。
題型：多項選擇題
使用74HC138實現(xiàn)邏輯函數(shù)正確的是（）。
題型：單項選擇題
?當(dāng)共陰極7段數(shù)碼管顯示2的時候，輸出應(yīng)該為（）。
題型：單項選擇題
要使TTL與非門變成反相器，多余的輸入端不能采用的方法為（）。
題型：單項選擇題
?如圖所示電路論述正確的是（）。
題型：多項選擇題
為實現(xiàn)將D觸發(fā)器轉(zhuǎn)換為T觸發(fā)器，下圖所示電路的虛框內(nèi)應(yīng)是（）。
題型：單項選擇題
TTL門電路具有負載能力強、抗干擾能力強和轉(zhuǎn)換速度高等特點。
題型：判斷題
要使JK觸發(fā)器在時鐘脈沖作用下，實現(xiàn)輸出，則輸入信號應(yīng)為（）。
題型：單項選擇題
約束項在函數(shù)化簡時可以當(dāng)作1，是因為在實際電路中，這種輸入組合根本不可能會讓其發(fā)生。
題型：判斷題
要使CMOS門輸入高電平，不能使用的方法為（）。
題型：單項選擇題