由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？