利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。