問(wèn)答題簡(jiǎn)述光刻工藝的8個(gè)基本步驟。
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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述部分離子注入工藝的作用。
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述在先進(jìn)的CMOS工藝中，離子注入的應(yīng)用。
3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述離子注入退火目的與方法。
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述離子注入效應(yīng)。
最新試題
規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫(huà)出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型：?jiǎn)柎痤}
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項(xiàng)選擇題
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
題型：?jiǎn)柎痤}
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？
題型：?jiǎn)柎痤}
在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？
題型：?jiǎn)柎痤}
編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}