問(wèn)答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。
2.問(wèn)答題
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
3.問(wèn)答題目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?
5.問(wèn)答題編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?
最新試題
集成電路電阻可以通過(guò)()產(chǎn)生。
題型:多項(xiàng)選擇題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項(xiàng)選擇題
由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā),版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:?jiǎn)柎痤}
晶體管的名字取自于()和()兩詞。
題型:多項(xiàng)選擇題
在晶體材料中,對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
題型:?jiǎn)柎痤}
編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?
題型:?jiǎn)柎痤}
MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。
題型:多項(xiàng)選擇題