問(wèn)答題簡(jiǎn)述沉積多晶硅采用什么CVD工具?摻雜的Poly-Si的主要用途。寫出摻雜的Poly-Si做柵電極的6個(gè)原因。
您可能感興趣的試卷
最新試題
什么是電阻率?它的單位是什么(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?
題型:?jiǎn)柎痤}
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型:?jiǎn)柎痤}
試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型:?jiǎn)柎痤}
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。
題型:多項(xiàng)選擇題
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱為()。
題型:多項(xiàng)選擇題
說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
題型:?jiǎn)柎痤}
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
晶體管的名字取自于()和()兩詞。
題型:多項(xiàng)選擇題
由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施?
題型:?jiǎn)柎痤}