由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。