為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？