什么是MOS器件的體效應(yīng)？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

半導體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？