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單項選擇題對于功率晶體管的基極驅(qū)動電路，驅(qū)動電流的后沿應(yīng)是一個較大的負電流，以利于功率晶體管的（）。

A.導(dǎo)通
B.壽命
C.關(guān)斷
D.飽和

1.填空題磁隔離的器件通常是（），當(dāng)脈沖較寬時，為避免鐵心飽和，常采用（）和（）的方法。

2.填空題在驅(qū)動電路中采用的隔離環(huán)節(jié)一般是（）和（）。

3.填空題電力電子器件的驅(qū)動電路分為（）和（）。

4.填空題驅(qū)動電路的基本任務(wù)是（）。

5.單項選擇題IGBT的3個引出電極分別是（）

A.陽極、陰極、門極
B.陽極、陰極柵極
C.柵極、源極漏極
D.發(fā)射極、柵極、集電極

6.單項選擇題用萬用表Rx1kΩ測量GTO陽極與陰極間電阻時，若其正、反向電阻都很小，說明兩極之間（）。

A.開路
B.短路
C.接線錯誤
D.測量方法錯誤

7.單項選擇題電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）（）現(xiàn)象。

A.有二次擊穿
B.無二次擊穿
C.防止二次擊穿
D.無靜電擊穿

8.單項選擇題電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）適合于在（）條件下工作。

A.直流
B.低頻
C.中頻
D.高頻

9.單項選擇題電力晶體管在使用時，要防止（）。

A.二次擊穿
B.靜電擊穿
C.時間久而失效
D.工作在開關(guān)狀態(tài)

10.單項選擇題電力場效應(yīng)晶體管（電力MOSFET）是理想的（）控制器件。

A.電壓
B.電流
C.電阻
D.功率