最新試題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
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試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
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MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？
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什么是MOS器件的體效應(yīng)？
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版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
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利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
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設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
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編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
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試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。
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什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。
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