說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

半導體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

什么是MOS器件的體效應？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？