硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）