多項選擇題新的平坦化方法有哪幾個？（）
A.固結磨料CMP技術
B.無磨粒CMP技術
C.無應力拋光技術
D.電化學機械平坦化技術
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1.多項選擇題光刻工藝對準誤差包括（）。
A.上下偏移
B.X或Y方向的平移
C.轉動
D.套準誤差
2.多項選擇題光刻工藝的特點包括（）。
A.決定特征尺寸的關鍵工藝
B.光刻與芯片的價格和性能密切相關
C.光刻工藝過程復雜
D.復印圖像和化學作用相結合的綜合性技術
3.單項選擇題光刻工藝的設備核心是（）。
A.掩膜版
B.對準和曝光
C.光刻機
D.光刻膠
4.單項選擇題進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
A.堿溶液清洗
B.有機溶液清洗
C.HF結尾的清洗工藝
D.去離子水沖洗
5.多項選擇題刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
A.光刻膠
B.Si襯底
C.刻蝕氣體中的碳和其它物質(zhì)組成的化合物
D.刻蝕溶液