多項(xiàng)選擇題刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
A.光刻膠
B.Si襯底
C.刻蝕氣體中的碳和其它物質(zhì)組成的化合物
D.刻蝕溶液
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1.多項(xiàng)選擇題摻雜后，退火的目的是（）。
A.實(shí)現(xiàn)電激活
B.修復(fù)損傷
C.提高摻雜均勻性
D.加大損傷
2.多項(xiàng)選擇題常壓的硅外延方法有（）。
A.四氯化硅氫還原法
B.三氯氫硅氫還原法
C.二氯氫硅烷法
D.硅烷熱分解法
3.單項(xiàng)選擇題刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
A.氧化
B.離子注入
C.光刻
D.拋光
4.單項(xiàng)選擇題注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
A.能量
B.溫度
C.劑量
D.質(zhì)量
5.單項(xiàng)選擇題摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
A.30~60分鐘
B.10~20分鐘
C.60~90分鐘
D.100~120分鐘
最新試題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題