若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。

薄層電阻

半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）

漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。

二極管存在最高工作頻率是因?yàn)镻N 結(jié)有電容效應(yīng)。

試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。

什么是擴(kuò)散的相互作用？試舉一例說明其對(duì)半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。