A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒6.75~11.25kN
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒11.25~18.00kN
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒18.00~22.50kN
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A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、強(qiáng)度等級越高,加荷速度應(yīng)越小
A、試件拆模時(shí)間
B、試件移入標(biāo)準(zhǔn)養(yǎng)護(hù)室時(shí)間
C、拌合物攪拌加水時(shí)間
D、拌合物拌制完成時(shí)間
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的恒溫、恒濕環(huán)境
B、室內(nèi)陰涼場所
C、結(jié)構(gòu)或構(gòu)件鄰近區(qū)域砂堆中
D、遮陽的屋檐下
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的室內(nèi)
B、溫度20±2℃的不流動(dòng)的Ca(OH)2飽和溶液中
C、溫度20±2℃的清水中
D、溫度20±2℃的不流動(dòng)的醋酸溶液中
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周,以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、搗實(shí)器具拔出時(shí)要緩慢,拔出后不得留有孔洞
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
下列是晶體的是()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。