單項(xiàng)選擇題如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復(fù)合中心
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1.單項(xiàng)選擇題與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
A、比半導(dǎo)體的大
B、比半導(dǎo)體的小
C、與半導(dǎo)體的相等
2.單項(xiàng)選擇題表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
A、施主態(tài)
B、受主態(tài)
C、電中性
3.單項(xiàng)選擇題最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
A、EA，
B、ED，
C、EF，
D、Ei
4.單項(xiàng)選擇題載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
A、漂移
B、隧道
C、擴(kuò)散
5.單項(xiàng)選擇題把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫械〈糠值牧?，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
A.改變禁帶寬度；
B.產(chǎn)生復(fù)合中心；
C.產(chǎn)生空穴陷阱；
D.產(chǎn)生等電子陷阱。
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫械〈糠值牧?，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項(xiàng)選擇題