A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
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A.線缺陷
B.面缺陷
C.點(diǎn)缺陷
D.體缺陷
A.非平衡載流子濃度成正比;
B.平衡載流子濃度成正比;
C.非平衡載流子濃度成反比;
D.平衡載流子濃度成反比。
A.纖鋅礦型;
B.閃鋅礦型;
C.六方對(duì)稱性;
D.立方對(duì)稱性
A.施主
B.受主
C.復(fù)合中心
D.兩性雜質(zhì)
A.變大,變小
B.變小,變大
C.變小,變小
D.變大,變大
A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復(fù)合中心
A、比半導(dǎo)體的大
B、比半導(dǎo)體的小
C、與半導(dǎo)體的相等
A、施主態(tài)
B、受主態(tài)
C、電中性
A、EA,
B、ED,
C、EF,
D、Ei
A、漂移
B、隧道
C、擴(kuò)散
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
PN結(jié)的基本特性是()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()