A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應(yīng)引入的氧
D.外界空氣的進(jìn)入
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A.氧及其相關(guān)缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過(guò)渡族金屬雜質(zhì)
D.材料中的缺陷密度及其分布
A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
A、6
B、2
C、4
D、5
A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
A、加料—縮頸生長(zhǎng)—熔化—放肩生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
B、加料—熔化—縮頸生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
C、加料—熔化—等徑生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—縮頸生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
D、加料—熔化—縮頸生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
A、位錯(cuò)
B、層錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯(cuò)
A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結(jié);
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對(duì),產(chǎn)生平衡載流子;
C、平衡載流子破壞原來(lái)的熱平衡;
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場(chǎng)作用下,n區(qū)空穴向p區(qū)擴(kuò)散,p區(qū)電子向n區(qū)擴(kuò)散;若p-n結(jié)開路,在結(jié)的兩邊積累電子—空穴對(duì),產(chǎn)生開路電壓。
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
可用作硅片的研磨材料是()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()