多項選擇題GB23441-2009中N類卷材PETⅠ型與PETⅡ型物理力學(xué)性能指標(biāo)不同的有（）。
A、不透水性
B、拉力
C、低溫柔性
D、耐熱性
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1.多項選擇題非燒結(jié)磚包括（）。
A、蒸壓灰砂磚
B、粉煤灰磚
C、爐渣磚
D、碳化磚
2.多項選擇題外觀質(zhì)量檢查測量方法主要有（）和色差。
A、缺損
B、裂紋
C、彎曲
D、雜質(zhì)凸出高度
3.多項選擇題蒸壓灰砂磚標(biāo)準(zhǔn)適用于以（）主要原料，允許摻入顏料和外加劑，經(jīng)坯料制備、壓制成型、蒸壓養(yǎng)護(hù)而成的實(shí)心灰砂磚。
A、水泥
B、粉煤灰
C、石灰
D、砂
4.多項選擇題蒸壓灰砂磚標(biāo)準(zhǔn)中根據(jù)蒸壓灰砂磚的顏色分為（）。
A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
5.多項選擇題蒸壓灰砂磚標(biāo)準(zhǔn)中，根據(jù)尺寸偏差和外觀質(zhì)量、強(qiáng)度及抗凍性將磚的質(zhì)量等級分為（）。
A、優(yōu)等品
B、一等品
C、二等品
D、合格品
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題