單項(xiàng)選擇題改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()

A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定


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2.單項(xiàng)選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()

A、6
B、2
C、4
D、5

3.單項(xiàng)選擇題那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()

A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝

4.單項(xiàng)選擇題下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()

A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長

5.單項(xiàng)選擇題用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于

最新試題

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()

題型:單項(xiàng)選擇題

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。

題型:單項(xiàng)選擇題

下列是晶體的是()。 

題型:單項(xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()

題型:單項(xiàng)選擇題

可用作硅片的研磨材料是()

題型:單項(xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:單項(xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。

題型:單項(xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。

題型:單項(xiàng)選擇題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。

題型:單項(xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:單項(xiàng)選擇題