單項(xiàng)選擇題原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

A.減小，減小
B.減小，增大
C.增大，增大
D.增大，減小


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1.單項(xiàng)選擇題下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

A.漂移遷移率
B.電導(dǎo)遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率

2.單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

A.（100）
B.（001）
C.（111）
D.（110）

3.單項(xiàng)選擇題PN結(jié)的基本特性是（）

A.單向?qū)щ娦?br /> B.半導(dǎo)性
C.電流放大性
D.絕緣性

5.單項(xiàng)選擇題在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)（）

A.光電效應(yīng)
B.光生伏特效應(yīng)
C.內(nèi)光電效應(yīng)
D.外光電效應(yīng)

6.單項(xiàng)選擇題硅片拋光在原理上不可分為（）

A.機(jī)械拋光法
B.化學(xué)拋光法
C.手工拋光法
D.機(jī)械--化學(xué)拋光法

7.單項(xiàng)選擇題可用作硅片的研磨材料是（）

A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL

8.單項(xiàng)選擇題熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀

9.單項(xiàng)選擇題CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

A.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--收尾
C.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)-放肩生長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--收尾
D.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾

10.單項(xiàng)選擇題懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低

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