最新試題
MBE只能用于III-V族化合物的生長(zhǎng)。
非本征光電導(dǎo)
敏化劑
在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。
半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
本征光電導(dǎo)
陰極射線(xiàn)致發(fā)光
光生伏特效應(yīng)