填空題測(cè)試技術(shù)的基本任務(wù)是獲取（）。
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2.名詞解釋光生伏特效應(yīng)
6.名詞解釋猝滅劑
7.名詞解釋陰極射線致發(fā)光
8.名詞解釋本征光電導(dǎo)
9.單項(xiàng)選擇題當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
A.集電極到發(fā)射極
B.集電極到基極
C.基極到發(fā)射極
D.以上都不是
10.名詞解釋非本征光電導(dǎo)
最新試題
半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
題型：判斷題
半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說法。
題型：判斷題
敏化劑
題型：名詞解釋
非本征光電導(dǎo)
題型：名詞解釋
平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是相等的。
題型：判斷題
MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。
題型：判斷題
當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
題型：單項(xiàng)選擇題
提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。
題型：判斷題
有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV
題型：單項(xiàng)選擇題
本征光電導(dǎo)
題型：名詞解釋