異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

光生伏特效應(yīng)

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。

光電導(dǎo)效應(yīng)

光生伏特效應(yīng)

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。