為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

什么是MOS器件的體效應？

半導體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。