多項(xiàng)選擇題材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類(lèi)()。
A.導(dǎo)體
B.絕緣體
C.半導(dǎo)體
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1.多項(xiàng)選擇題20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是()。
A.真空管電子學(xué)
B.無(wú)線(xiàn)電通信
C.機(jī)械制表機(jī)
D.固體物理
2.多項(xiàng)選擇題晶體管的名字取自于()和()兩詞。
A.跨導(dǎo)
B.變阻器
C.導(dǎo)體
3.多項(xiàng)選擇題由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱(chēng)為()。
A.微芯片
B.芯片
C.硅片
最新試題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:?jiǎn)柎痤}
什么是MOS器件的體效應(yīng)?
題型:?jiǎn)柎痤}
試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長(zhǎng)。
題型:?jiǎn)柎痤}
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?
題型:?jiǎn)柎痤}
編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路,寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:?jiǎn)柎痤}
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項(xiàng)選擇題
MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類(lèi)()和()。每種類(lèi)型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。
題型:多項(xiàng)選擇題
什么是電阻率?它的單位是什么(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?
題型:?jiǎn)柎痤}