版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

集成電容主要有幾種結構？

20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

什么是MOS器件的體效應？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

版圖設計的基本前提是什么？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。