最新試題

試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長(zhǎng)。

題型:?jiǎn)柎痤}

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。

題型:?jiǎn)柎痤}

在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。

題型:?jiǎn)柎痤}

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。

題型:多項(xiàng)選擇題

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程,稱(chēng)作()。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱(chēng)為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么?

題型:?jiǎn)柎痤}

什么是電阻率?它的單位是什么(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?

題型:?jiǎn)柎痤}

集成電路電阻可以通過(guò)()產(chǎn)生。

題型:多項(xiàng)選擇題

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)()等步驟。

題型:多項(xiàng)選擇題

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請(qǐng)畫(huà)出Id2的大致變化,并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。

題型:?jiǎn)柎痤}