判斷題化學(xué)機(jī)械平坦化,簡(jiǎn)稱CMP,它是一種表面全局平坦化技術(shù)。
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最新試題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型:?jiǎn)柎痤}
把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程,稱作()。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:?jiǎn)柎痤}
什么是無源電阻?什么是有源電阻?舉例說明。
題型:?jiǎn)柎痤}
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?
題型:?jiǎn)柎痤}
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
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MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響?
題型:?jiǎn)柎痤}
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā),版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:?jiǎn)柎痤}
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請(qǐng)畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:?jiǎn)柎痤}
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型:?jiǎn)柎痤}