半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。