集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。