判斷題熱擴(kuò)散中的橫向擴(kuò)散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進(jìn)的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴(kuò)散,因為它會導(dǎo)致溝道長度的減小,影響器件的集成度和性能。

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最新試題

試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長。

題型:問答題

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。

題型:問答題

什么是無源電阻?什么是有源電阻?舉例說明。

題型:問答題

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。

題型:多項選擇題

在晶體材料中,對于長程有序的原子模式最基本的實體就是()。

題型:單項選擇題

什么是電阻率?它的單位是什么(國際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?

題型:問答題

MOS場效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

題型:多項選擇題

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?

題型:問答題

BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

題型:多項選擇題

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計上采取哪些措施?

題型:問答題