MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。