編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

把半導體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

什么是MOS器件的體效應？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應包括哪些部分？

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。