在PN 結(jié)形成過(guò)程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？

二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無(wú)關(guān)。

在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

明兩步擴(kuò)散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。

純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。

什么是擴(kuò)散的相互作用？試舉一例說(shuō)明其對(duì)半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。

自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。

試說(shuō)明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說(shuō)明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。

若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。