在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）

二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無(wú)關(guān)。

在PN 結(jié)形成過(guò)程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

說(shuō)明氧化氣氛對(duì)擴(kuò)散有何影響及原因？

點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。

若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。

普通二極管是由PN 結(jié)引出電極封裝而成的。

自由電子是載流子，空穴不是。

與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。