明兩步擴(kuò)散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。

OED/ORD

自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。

試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。

試說明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

試說明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。

本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。

什么是擴(kuò)散的相互作用？試舉一例說明其對半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。

半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。