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問答題 根據(jù)下圖給出的一氧化工藝的菜單實例，試說明：
（1）該工藝采用的氧化方法
（2）每一步驟的具體作用（或狀態(tài)）
（3）氮氣在整個工藝流程中的作用
（4）工藝過程中加入HCl的主要作用

1.問答題氧化系統(tǒng)的基本組成結(jié)構(gòu)及每一部分的主要作用。

2.問答題什么是氧化層固定電荷？其產(chǎn)生的主要原因是什么？它對半導(dǎo)體器件的電學特性有何影響？工藝中可以用什么辦法來解決？

3.問答題列出Si—SiO₂界面處的四種電荷，說明鈉離子是屬于哪一類電荷，以及這一類電荷會導(dǎo)致芯片出現(xiàn)什么問題，工藝中如何解決這一問題？

4.問答題試說明高壓氧化技術(shù)的原理（或依據(jù)）及主要作用，并說明高低壓氧化各自的控制機制和氧化層厚度的變化規(guī)律。

5.問答題什么是表面反應(yīng)控制？什么是擴散控制？并說明什么情況下生長過程分別為這兩種控制，以及這兩種控制在生長速率上呈何種反應(yīng)？

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