問(wèn)答題列出Si—SiO2界面處的四種電荷，說(shuō)明鈉離子是屬于哪一類(lèi)電荷，以及這一類(lèi)電荷會(huì)導(dǎo)致芯片出現(xiàn)什么問(wèn)題，工藝中如何解決這一問(wèn)題？
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半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。
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試說(shuō)明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。
題型：?jiǎn)柎痤}
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題型：判斷題
在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。
題型：判斷題
結(jié)電容是常量。
題型：判斷題
試說(shuō)明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。
題型：?jiǎn)柎痤}
淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？
題型：?jiǎn)柎痤}