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問答題什么是氧化層固定電荷？其產(chǎn)生的主要原因是什么？它對半導體器件的電學特性有何影響？工藝中可以用什么辦法來解決？

1.問答題列出Si—SiO₂界面處的四種電荷，說明鈉離子是屬于哪一類電荷，以及這一類電荷會導致芯片出現(xiàn)什么問題，工藝中如何解決這一問題？

2.問答題試說明高壓氧化技術的原理（或依據(jù)）及主要作用，并說明高低壓氧化各自的控制機制和氧化層厚度的變化規(guī)律。

3.問答題什么是表面反應控制？什么是擴散控制？并說明什么情況下生長過程分別為這兩種控制，以及這兩種控制在生長速率上呈何種反應？

4.問答題根據(jù)氧化物的生長規(guī)律，試說明熱氧化生長過程中的兩個主要階段，并說明它們分別位于氧化生長過程中的哪一時段，各自的生長模型和規(guī)律以及反映生長速率的參數(shù)和影響該參數(shù)的主要因素是什么？

5.問答題試說明氧化生長速率的基本定義及其物理含義，并說明影響氧化生長速率的主要工藝參數(shù)，及他們對生長速率的主要影響。