問(wèn)答題MOS器件的主要特性是什幺？
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1.問(wèn)答題硅化物（salicide）的形成步驟主要可分為哪些？
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最新試題
半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？
題型：?jiǎn)柎痤}
二極管只能通過(guò)直流電，不能通過(guò)交流電。
題型：判斷題
自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。
題型：判斷題
點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。
題型：判斷題
自由電子是載流子，空穴不是。
題型：判斷題
舉例說(shuō)明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是擴(kuò)散的相互作用？試舉一例說(shuō)明其對(duì)半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。
題型：?jiǎn)柎痤}
試說(shuō)明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。
題型：?jiǎn)柎痤}