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A.PN 結(jié)加的正向電壓夠大時(shí),多子的擴(kuò)散比少子的漂移占優(yōu)勢(shì)
B.PN 結(jié)加反向電壓時(shí),少子的漂移比多子的擴(kuò)散占優(yōu)勢(shì)
C.PN 結(jié)不外加電壓時(shí),少子的漂移與多子的擴(kuò)散達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡
D.要給PN 結(jié)加正向電壓,P 區(qū)一側(cè)應(yīng)接低電位,N 區(qū)一側(cè)應(yīng)接高電位
A.半導(dǎo)體的電阻介于導(dǎo)體與絕緣體之間
B.半導(dǎo)體可以制作成非常純凈的晶體
C.半導(dǎo)體可以通過(guò)摻雜工藝制成N 型半導(dǎo)體和P 型半導(dǎo)體
D.半導(dǎo)體具有熱敏性、光敏性和特殊的摻雜特性
A.本征半導(dǎo)體
B.P 型半導(dǎo)體
C.N 型半導(dǎo)體
最新試題
關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電,下列敘述不正確的是:()
OED/ORD
自由電子是載流子,空穴不是。
試說(shuō)明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。
與多數(shù)載流子相比,少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。
在P 型半導(dǎo)體中,空穴濃度大于自由電子濃度。
點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小,因此其最高工作頻率低。
若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通,則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。
淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制?
試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟,并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。